电流感应自旋扭矩能够以低能耗对磁化进行电控制。传统的磁性随机存取存储器（MRAM）设备依赖于自旋转移扭矩（STT），然而，由于纳秒孵化延迟和相关的耐久性问题，这限制了MRAM的应用。STT的潜在替代品是自旋轨道扭矩（SOT）。然而，对于实用的高速SOT器件，它必须同时满足三个条件，即短电流脉冲下的无场开关、短孵化延迟和低开关电流。

新加坡国立大学Hyunsoo Yang等在CoFeB/Ti/CoFeB铁磁三层中展示了亚纳秒时间尺度的无场SOT切换，它满足所有三个条件。

本文要点：

（1）

在该三层中，底部磁性层或其界面产生自旋电流，该自旋电流在平面内和平面外分量中都具有极化。面内组件减少了培育时间，而面外组件在低电流下实现了无场切换。

（2）

作者的成果为高能效可扩展MRAM应用提供了一种无场SOT解决方案。

参考电竞投注官网 :

Yang, Q., Han, D., Zhao, S. et al. Field-free spin–orbit torque switching in ferromagnetic trilayers at sub-ns timescales. Nat Commun 15, 1814 (2024).

DOI: 10.1038/s41467-024-46113-1

https://doi.org/10.1038/s41467-024-46113-1