多孔晶体材料通常包括金属有机框架(MOF)、共价有机框架(COF)、氢键有机框架(HOF)和沸石等，这些材料具有优异的多孔性和结构/组成可设计性，因此近十年来在存储器和神经形态计算系统中受到越来越多的关注。无论从材料还是器件的角度来看，全面、及时地总结多孔晶体材料在存储器和神经形态计算系统中的应用，对指导未来的研究工作都至关重要。此外，多孔晶体材料在电子领域的应用需要从粉末合成转向高质量薄膜制备，以确保器件的高性能。
鉴于此，深圳大学Ye Zhou等重点综述了制备多孔晶体材料薄膜的策略，并讨论了它们在存储器和神经形态电子学中的应用进展。
本文要点：
（1）提供了制备多孔晶体材料薄膜的策略的详细比较分析，并提出了现有的挑战和未来的研究方向。
（2）讨论了它们在存储器和神经形态电子学中的应用进展，吸引来自不同领域的专家（如材料科学家、化学家和工程师），从而促进其应用。
Porous crystalline materials for memories and neuromorphic computing systems
Chem. Soc. Rev., 2023, Advance Article
DOI: 10.1039/D3CS00259D
https://doi.org/10.1039/D3CS00259D
