Nature Electronics：基于二维异质结构和光致陷阱的可重构晶体管和存储器

可重构场效应晶体管（FET）在单个可编程器件中结合了单极n型和p型特性，可用于降低电子器件的复杂性。然而，电流可重构FET需要恒定的电压供应来实现极性转换，导致高功耗。鉴于此，来自国立中兴大学物理系的Yen-Fu Lin和Po-Wen Chiu等人开发了一种基于六方氮化硼/二硒化铼/六方氮化氮化硼（hBN/ReSe₂/hBN）异质结构的可重构FET。

文章要点：

1) 该研究开发的这一FET具有非易失性和可调极性，光诱导捕获机制用于将光激发的空穴或电子驱动到hBN和二氧化硅衬底之间的界面中；

2) 此外，可重新配置的FET可以在晶体管和存储器模式之间切换，并且几个FET可以用于创建反相器、and、OR、NAND、NOR、XOR和XNOR电路，该研究还表明，当处于记忆模式操作时，这些设备可以用于模拟神经形态计算系统的突触功能。

参考资料：

Tsai, MY., Huang, CT., Lin, CY. et al. A reconfigurable transistor and memory based on a two-dimensional heterostructure and photoinduced trapping. Nat Electron (2023).

10.1038/s41928-023-01034-7

https://doi.org/10.1038/s41928-023-01034-7