Nature Nanotechnology：过渡金属二硫族化合物场效应晶体管的低欧姆接触电阻和高开/关比

硅技术的发展需要超高性能场效应晶体管，而过渡金属二硫族化合物是一种极具潜力的材料，但其器件性能（如接触电阻、开/关比和迁移率）通常受到界面残留物的限制。在这里，成均馆大学Young Hee Lee、Chandan Biswas报道了过渡金属二硫族化合物场效应晶体管的低欧姆接触电阻和高开/关比。

本文要点：

1) 作者报道了一种无残留物转移方法，即通过使用聚丙烯碳酸酯，使单层MoS₂的残留物覆盖率约为0.08%。通过在六方氮化硼衬底上结合铋半金属触点和单层MoS₂场效应晶体管，作者获得了~78 Ω µm的超低欧姆接触电阻。

2)  此外，该场效应晶体管在15 K时的开关比达到10¹¹ 。这种超清洁制造方法是使用大面积半导体过渡金属二硫族化合物的高性能电气设备的理想平台。

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Ashok Mondal et.al Low Ohmic contact resistance and high on/off ratio in transition metal dichalcogenides field-effect transistors via residue-free transfer Nature Nanotechnology 2023

DOI: 10.1038/s41565-023-01497-x

https://doi.org/10.1038/s41565-023-01497-x