莫尔超晶格含有丰富多样的相关电子相。然而，莫尔电位是通过层间耦合固定的，并且它取决于载流子和谷的性质。相反，扭曲的六方氮化硼（hBN）层可以施加周期性的静电势，从而能够调控相邻层的性能。在这里，德克萨斯州立大学Yoichi Miyahara、得克萨斯大学奥斯汀分校Li Xiaoqin报道了扭曲六方氮化硼层的静电莫尔电位。

本文要点：

1) 作者证明了这种电势是由界面电荷再分配产生的电极化理论描述的，并通过其对超晶胞尺寸和与扭曲界面的距离依赖性进行了验证。这使得能够通过控制两个界面之间的扭曲角来控制深度和轮廓。

2) 采用这种方法，作者进一步证明了扭曲hBN衬底的静电势如何阻碍半导体单层中的激子扩散，这为利用扭曲hBN基底的表面电势设计相邻功能层的性质提供了机会。

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Dong Seob Kim et.al Electrostatic moiré potential from twisted hexagonal boron nitride layers Nature Materials 2023

DOI: 10.1038/s41563-023-01637-7

https://doi.org/10.1038/s41563-023-01637-7