氧化镓（Ga₂O₃）由于其宽的带隙、可控的掺杂和低成本，作为低维金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的潜在候选者，引起了广泛的关注。纳米Ga₂O₃的结构稳定性是设计和构建MOSFET的关键参数，但这一点尚未得到充分探索。武汉大学王建波和郑赫利用原位透射电子显微镜，揭示了亚2nm Ga₂O₃纳米线的尺寸依赖性相变。

本文要点

（1）基于理论计算，作者绘制了从初始单斜β相到中间立方γ相再回到β相的转变路径，并将其确定为Ga阳离子迁移序列。

（2）该研究结果为Ga₂O₃在纳米尺度内的相稳定性提供了基本的见解，这对于推进宽带隙半导体器件的小型化、轻量化和集成至关重要。

Jiaheng Wang, et al. Size-Dependent Phase Transition in Ultrathin Ga2O3 Nanowires. Nano Letters. 2023

DOI：10.1021/acs.nanolett.3c01751

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.3c01751