相干驱动半导体量子点是非经典光源和量子逻辑门的有效平台之一，它们构成了光子量子技术的基础。然而，到目前为止，量子点中单个电荷载流子的相干操作主要局限于它们的最低轨道状态。对可调谐太赫兹脉冲的需求阻碍了高轨道态的超快相干控制。为了打破这一限制，浙江大学刘峰报道了半导体量子点中高轨道空穴的相干控制。

本文要点：

1) 作者报道了一种通过受激俄歇过程控制空穴高轨道态的全光方法。Rabi振荡和Ramsey干涉证明了俄歇过程的相干性质。利用这种一致性可以进一步研究单孔弛豫机制。

2) 作者观察到了161 ps的空穴弛豫时间，并将其归因于声子瓶颈效应。该工作为理解量子发射体中高轨道态的基本性质以及开发新型基于轨道的量子光子器件开辟了新途径。

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Jun-Yong Yan et.al Coherent control of a high-orbital hole in a semiconductor quantum dot Nature Nanotechnology 2023

DOI: 10.1038/s41565-023-01442-y

https://doi.org/10.1038/s41565-023-01442-y