近期的研究在扭曲的过渡金属二硫族化合物（TMDs）中发现了强相关相，这突出了扭曲诱导的改造对电子结构的重大影响。牛津大学Yulin Chen和上海科技大学柳仲楷使用具有亚微米空间分辨率的角度分辨光电发射光谱（μ-ARPES），通过比较WSe2器件内扭曲（5.3°）和非扭曲（AB堆叠）双层区域的价带结构来研究这些改造的影响。

本文要点

（1）相对于非扭曲区域，扭曲区域在Γ-谷处表现出明显的莫尔条纹和~90meV重整化，不同层之间存在显著的动量分离，并且在K谷处没有平坦带。

（2）进一步模拟晶格弛豫的影响发现，它可以使Γ-谷边缘变平，但不能使K-谷边缘平坦。该结果提供了扭曲TMDs电子结构中扭曲诱导改造的直接可视化，并阐明了它们对晶格弛豫的谷相关响应能力。

Ding Pei, et al. Twist-Induced Modification in the Electronic Structure of Bilayer WSe2. Nano Letters. 2023

DOI：10.1021/acs.nanolett.3c01672

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.3c01672