二维硒化铟（III）（In₂Se₃）具有丰富的多态性，其有望克服传统铁电体中与厚度相关的去极化效应。α-In₂Se₃作为一种可以在单层水平上保持铁电性的铁电半导体引起了人们的极大关注。 近日，新加坡国立大学Kian Ping Loh综述研究了硒化铟（III）的多态性与铁电性。

本文要点：

1) α-In₂Se₃可以部署在高密度存储器切换模式中，从而在器件设计中绕过传统的冯·诺依曼架构。然而，由于其与β-In₂Se₃混合，涉及α-In₂Se₃的研究经常受到相识别困难的阻碍。β-In₂Se₃具有多种多晶型，其中包括反铁电和铁电性的β′-In₂Se₃。

2) 了解β-In₂Se₃中的多晶型转变和晶体-非晶相变对于挖掘这种材料在电阻存储中的潜力非常重要。作者讨论了如何严格区分In₂Se₃的各种多晶型，并进一步强调了这些相在铁电体和存储器件中的最新应用。

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Clement Kok Yong Tan et.al Polymorphism and Ferroelectricity in Indium(III) Selenide Chem. Rev. 2023

DOI: 10.1021/acs.chemrev.3c00129

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.chemrev.3c00129