Bi₂Se₃是一种带隙为0.3eV的半导体材料，具有独特的能带结构。昆士兰大学Yusuke Yamauchi和Minsu Han提出了一种可通过电沉积方法合成具有均匀孔径介孔Bi₂Se₃膜的强大平台。

本文要点

（1）在这一平台中，嵌段共聚物胶束在电解质中充当软模板，从而创建了3D多孔纳米结构。通过控制嵌段共聚物的长度，孔径可精确地调节至9和17nm。

（2）无孔Bi₂Se₃膜在垂直方向上表现出52.0nA的隧穿电流，但在引入孔隙（9nm孔）时，隧穿电流可显著增加到684.6nA，这表明Bi₂Se₃膜的导电性取决于孔结构和表面积。

（3）丰富的多孔结构可将Bi₂Se₃更大地暴露在相同体积的周围空气中，从而增强了其金属性能。

Tomota Nagaura, et al. Mesoporous Semiconductive Bi2Se3 Films. Nano Letters. 2023

DOI：10.1021/acs.nanolett.3c00183

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.3c00183