与致密类似物相比，高表面积金属在电催化和储能方面具有几个关键优势。近日，俄勒冈大学Christopher H. Hendon报道了二维导电金属-有机框架中配体介导的氢缺陷。

本文要点：

1) 在多孔歧管中，金属-有机框架（MOFs）拥有所有材料类别中已知的最高表面积，并且已知框架的一个子集也导电。主要的导电支架Ni₃（HITP）₂和Ni₃（HIB）₂都是金属性的，但实验尚未测量其整体金属性。

2) 作者探索了氢空位和间隙原子的热力学，并证明间隙氢是导电MOF家族中合理且普遍的缺陷。该缺陷的存在可以使Ni₃（HITP）₂和Ni₃（HIB）₂成为体半导体，而不是金属，并且氢缺陷在决定导电MOFs的体性能方面起着关键作用。

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Tekalign T. Debela et.al Ligand-Mediated Hydrogenic Defects in Two-Dimensional Electrically Conductive Metal–Organic Frameworks JACS 2023

DOI: 10.1021/jacs.3c02741

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.3c02741