具有ZrBeSi结构的AMX化合物在平面MX层的M位点上可以承受高达50%的空位浓度。

在这里，密歇根州立大学Alexandra Zevalkink研究了空位对整个EuCu_1−xZn_0.5xSb固溶体的热学和电子学性质的影响。

文章要点

1）研究发现，从完全占据的蜂窝层(EuCuSb)到缺少四分之一原子的蜂窝层(EuZn_0.5Sb)的转变导致蜂窝层中的非线性键膨胀，增加了M和Sb位点上的原子位移参数，和显着的晶格软化。这与点缺陷散射的快速增加相结合，导致晶格热导率在300K时从3W/mK降低到0.5W/mK。

2）空位对电子特性的影响更加微妙；研究发现，看到有效质量略有增加，带隙大幅增加，载流子浓度降低。最终，随着从EuCuSb到EuZn_0.5Sb，最大zT从0.09增加到0.7。

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Sevan Chanakian, et al, Investigating the Role of Vacancies on the Thermoelectric Properties of EuCuSb-Eu₂ZnSb₂ Alloys, Angew. Chem. Int. Ed. 2023, e202301176

DOI: 10.1002/anie.202301176

https://doi.org/10.1002/anie.202301176