半导体中光与电荷载流子的耦合是许多技术应用的基础。阿秒瞬态吸收光谱可以同时测量被激发的电子及其留下的空位对所施加光场的动态反应。在化合物半导体中，这些动力学可以通过其任何原子成分进行探测，而这些原子成分具有进入价带和导带的核心能级跃迁。近日，苏黎世联邦理工学院L. Gallmann、U. Keller报道了过渡金属二硫族化合物中的超快电子定位和筛选。
本文要点：
1) 作者在二维过渡金属二硫族化合物半导体MoSe2中表明，通过硒基核心能级跃迁，可以观察到载流子的相互作用，而当通过钼探测时，载流子的集体多体运动占主导地位。而这种对比行为可以通过吸收光后钼原子周围电子的强烈局域化来解释，进而改变作用在载流子上的局部场。
2) 作者发现，元素钛金属中的类似行为会转移到含过渡金属的化合物中，并能够在此类材料中发挥重要作用。此外，独立粒子和集体反应的知识对于充分理解这些材料至关重要。
Z. Schumacher et.al Ultrafast electron localization and screening in a transition metal dichalcogenide PNAS 2023
DOI: 10.1073/pnas.2221725120
https://doi.org/10.1073/pnas.2221725120
