多层六方氮化硼（hBN）可用于在器件结构中保持其他二维材料的固有物理性质。然而，由于难以合成高质量的大面积多层hBN并将其与相同规模的其他二维材料层结合，因此将该材料集成到大规模二维异质结构中仍然具有挑战性。近日，来自九州大学全球创新中心的Hiroki Ago等人发现厘米级多层hBN可以通过化学气相沉积在铁镍合金箔上合成。

文章要点：

1) 该研究合成的hBN可以用作石墨烯场效应晶体管的衬底和表面保护层，并且研究还开发了一种集成的电化学转移和热处理方法，使得能够创建高性能石墨烯/hBN异质结；

2) 此外，通过常规和可扩展方法制造的石墨烯场效应晶体管阵列显示，当hBN用作绝缘衬底时，室温载流子迁移率会显著提高，并且在石墨烯被另一个hBN片封装时，可以进一步增加到10,000 cm²·V⁻¹·s⁻¹。

参考资料：

Fukamachi, S., Solís-Fernández, P., Kawahara, K. et al. Large-area synthesis and transfer of multilayer hexagonal boron nitride for enhanced graphene device arrays. Nat Electron (2023).

DOI: 10.1038/s41928-022-00911-x

https://doi.org/10.1038/s41928-022-00911-x